2SC5876 T106Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 300MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Medium power transistor Features 1) High speed switching. (Tf : Typ. : 80ns at IC = 500mA) 2) Low saturation voltage, typically (Typ. : 150mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. Applications Small signal low frequency amplifier High speed switching Structure NPN Silicon epitaxial planar transistor 描述与应用| 中等功率晶体管 特点 1）高速开关。 （TF：典型：80ns的在IC=500毫安的） 2）低饱和电压，通常   （IB大于10mA IC=100mA时典型值150mV的） 3）感性负载和放电功率强 电容负载。 应用 低频小信号放大器 高速开关 结构 NPN硅外延平面型晶体管