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2SCR372P5T100
2.198
2SCR372P5T100 数据手册 (8 页)
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2SCR372P5T100 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
MPT
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
120 V
集电极最大允许电流
0.7A

2SCR372P5T100 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
8 页 / 1.36 MByte

2SCR372P5 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
单晶体管 双极, NPN, 120 V, 220 MHz, 500 mW, 700 mA, 120 hFE
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 120V Vceo 700mA Ic MPT3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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