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2SCR512P 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

MPT-3

描述:

煤层炮功率晶体管（ 30V / 2A ） Midium Power Transistors (30V / 2A)

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

2SCR512P 数据手册

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2SCR512P 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

MPT-3

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

30 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

200

最大电流放大倍数

500

耗散功率(Max)

500 mW

2SCR512P 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

最小包装数量

1000

2SCR512P 符合标准

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