2SD1615A 数据手册 - NEC（日本电气）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 60V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 160MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 200~400 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V 耗散功率PcPower Dissipation | 2W Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor POWER MINI MOLD DESCRIPTION 2SD1615, 1615A are designed for audio frequency power amplifier and switching application, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES • World Standard Miniature Package • Low VCE (sat) VCE(sat) = 0.15 V • high DC current Gain 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 POWER迷你模具 说明 2SD1615，1615A音频功放和开关应用而设计的，特别是 混合集成电路。 特点 •世界标准小型封装 •低VCE（sat）的VCE（饱和）=0.15 V •高直流电流增益