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2SD1664T100P
0.141
2SD1664T100P 数据手册 (3 页)
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2SD1664T100P 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
150 MHz
额定电压(DC)
32.0 V
额定电流
1.00 A
封装
MPT-3
极性
NPN
功耗
2 W
击穿电压(集电极-发射极)
32 V
集电极最大允许电流
1A
最小电流放大倍数
82 @100mA, 3V
额定功率(Max)
2 W
耗散功率(Max)
2 W

2SD1664T100P 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Discontinued at Digi-Key
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
150℃ (TJ)

2SD1664T100P 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.11 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
9 页 / 0.36 MByte

2SD1664T100 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
中等功率晶体管( 32V , 1A ) Medium Power Transistor (32V, 1A)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SD1664 系列 32 V 1 A 表面贴装 NPN 中等功率晶体管 - MPT-3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SD1664 系列 32 V 1 A 2 W 表面贴装 中等功率 晶体管 - MPT3
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 40V 1A 150MHz 120~270 150mVSOT-893 代码 DAQ
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
NPN三极管 40V 1A 150MHz 180~390 150mVSOT-893 代码 DAR
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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