2SD1781K T146Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 32V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 800mA/0.8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 120~270 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 100mV/0.1V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Features

● Very Low VCE(sat). VCE(sat) = −0.1V(Typ.) （IC / IB= 500ｍA / 50mA）

● High current capacity in compact package.

● Complements the 2SB1197K. Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用| 特点

●非常低VCE（SAT）。 VCE（饱和）=-0.1V （IC / IB=500mA的/50MA）

●高电流容量，在紧凑的封装。

●补充2SB1197K。 结构 外延平面型 NPN硅晶体管