2SD1804S 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 50V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 8A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 180MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 140~280 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High Current Switching Applications Applications · relay drivers, high speed inverters,converters,and other general high current switching application. Features

● high current and high fT

● fast switch time

● Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

● good linearity of hFE 描述与应用| PNP/ NPN平面外延硅晶体管 高电流开关应用 应用  ·适合于继电器驱动器，高速逆变器，转换器，及其他一般高电流开关应用。 特点  

●高电流，高FT

●快速开关时间

●低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT）

●良好的线性HFE