2SD2150 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 3A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 290MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation | 500mW/0.5W Description & Applications | applications Low Frequency Transistor Features

● Low VCE(sat).

● VCE(sat) = 0.2V (Typ.) (IC / IB = 2A / 0.1A)

● Excellent current gain characteristics.

● Epitaxial planar type NPN silicon transistor 描述与应用 | 应用 低频晶体管 特点

●低VCE（SAT）。

● VCE（饱和）=0.2V （IC / IB=2A/0.1A）

●优秀的电流增益特性。

●外延平面型硅NPN晶体管