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2SD2167 T100Q 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

封装:

SOT-89

描述:

*功率晶体管特点 *内置的集电极和基极之间的齐纳二极管。*齐纳二极管具有低电压分散。*强逆功率保护潮低负荷。 PC=2 W（40×40×0.7毫米的陶瓷板）

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2SD2167 T100Q 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-89

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

*功率晶体管特点 *内置的集电极和基极之间的齐纳二极管。*齐纳二极管具有低电压分散。*强逆功率保护潮低负荷。 PC=2 W（40×40×0.7毫米的陶瓷板）

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

*功率晶体管特点 *内置的集电极和基极之间的齐纳二极管。*齐纳二极管具有低电压分散。*强逆功率保护潮低负荷。 PC=2 W（40×40×0.7毫米的陶瓷板）

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