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2SD2195T100 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

MPT-3

描述:

达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SD2195T100 数据手册 (4 页)

封装尺寸在1 页

2SD2195T100 数据手册 (4 页)

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2SD2195T100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

2.00 A

封装

MPT-3

极性

N-Channel, NPN

功耗

500 mW

击穿电压(集电极-发射极)

100 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

1000 @1A, 2V

最大电流放大倍数

1000

额定功率(Max)

2 W

工作温度(Max)

150 ℃

耗散功率(Max)

2 W

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2SD2195T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Discontinued at Digi-Key

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.5 mm

宽度

2.5 mm

高度

1.5 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2SD2195T100 符合标准

2SD2195T100 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.07 MByte

2SD2195T100 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

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2SD2195T100 其他参考文件

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1 页 / 0.12 MByte

2SD2195 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SD2195 达林顿 NPN Vcbo=100v Vceo=100v Ic=2A HEF=1000~10000 SOT-89 标记/MARKING DP

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达林顿晶体管 DARL NPN 100V 2A

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