2SD2210GSL 数据手册 - Panasonic（松下）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 25V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 20V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300~500 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV/0.4V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| applications Silicon NPN epitaxial planer type

●For low-voltage output amplification

●For muting

●For DC-DC converter Features

●Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat)

●Low ON resistance Ron

●High foward current transfer ratio hFE. 描述与应用| 应用： NPN硅外延平面型

●低电压输出放大

●静音

●用于DC-DC转换器 特点：

●低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT）低管压降

●低导通电阻Ron

●高电流增益HFE。