2SD2345JRL 数据手册 - Panasonic（松下）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 120MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 400~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 50mV 耗散功率PcPower Dissipation| 125mW/0.125W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial planar type For low-frequency amplification Features High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) High emitter to base voltage VEBO. Low noise voltage NV 描述与应用| NPN硅外延平面型 对于低频放大 特点 高正向电流传输比HFE。 低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） 高发射器基极电压VEBO。 低噪声电压NV