2SD2537 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1.2A 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 200MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 820~1800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V 耗散功率PcPower Dissipation | 2W Description & Applications | Medium Power Transistor (25V, 1.2A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=500mA/10mA) 描述与应用 | 中等功率晶体管（25V，1.2A） 特点 1）高DC电流增益。 2）高发射基地电压。 （VEBO12V） 3）低饱和电压。 （最大VCE（sat）=0.3V IC / IB=500mA/10mA）