￥ 2.32

2SJ652-1E 数据手册 - ON Semiconductor（安森美）

制造商:

ON Semiconductor（安森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

通用开关设备的应用 General-Purpose Switching Device Applications

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SJ652-1E 数据手册 (7 页)

封装尺寸在1 页 6 页

2SJ652-1E 数据手册 (7 页)

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2SJ652-1E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0285 Ω

极性

P-CH

功耗

30 W

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

28A

上升时间

210 ns

输入电容值(Ciss)

4360pF @20V(Vds)

下降时间

180 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2W (Ta), 30W (Tc)

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2SJ652-1E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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2SJ652-1E 符合标准

2SJ652-1E 数据手册

ON Semiconductor（安森美）

7 页 / 0.24 MByte

2SJ652-1E 其他数据使用手册

ON Semiconductor（安森美）

1 页 / 0.14 MByte

2SJ652-1E 产品设计图

ON Semiconductor（安森美）

2 页 / 0.05 MByte

2SJ652-1E 产品修订记录

ON Semiconductor（安森美）

21 页 / 0.73 MByte

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