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2SK1170-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

MOS管

封装:

TO-3

描述:

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

2SK1170-E 数据手册 (7 页)

封装尺寸在6 页

2SK1170-E 数据手册 (7 页)

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2SK1170-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

封装

TO-3

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

20A

上升时间

115 ns

下降时间

90 ns

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2SK1170-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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2SK1170-E 符合标准

2SK1170-E 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

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