2SK1228 数据手册 - Panasonic（松下）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 50V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 50mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 27Ω/Ohm @10mA,2.5V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.5-1.1V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| Silicon N-Channel MOS FET For switching Features Silicon N-Channel MOS FET For switching application High-speed switching Wide frequency band Incorporating a built-in gate protection-diode Allowing 2.5V drive 描述与应用| 硅N沟道MOS FET开关 特性 硅N沟道MOS FET 用于开关应用 高速开关 宽频带 集成了内置栅极保护二极管 允许2.5V驱动