2SK1920 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 250V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 30V 最大漏极电流Id Drain Current| 4A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 500Ω/Ohm @2A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1.5-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 1W Description & Applications| N-Channel mos silicon FET Very HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION Features N-Channel MOS silicon FET Very high-speed switching application Low ON resistance Very high-speed switching Low-voltage drive 描述与应用| N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 特性 N沟道硅MOS FET 非常高速开关应用 低导通电阻 非常高的速度开关 低电压驱动