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2SK2221-E 数据手册 - Renesas Electronics（瑞萨电子）

制造商:

Renesas Electronics（瑞萨电子）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

硅N沟道MOS FET Silicon N Channel MOS FET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SK2221-E 数据手册 (8 页)

封装尺寸在7 页

2SK2221-E 数据手册 (8 页)

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2SK2221-E 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-3-3

极性

N-CH

功耗

100 W

输入电容

600 pF

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

8.00 A

输入电容值(Ciss)

600pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

100 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

100W (Tc)

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2SK2221-E 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tape & Reel (TR)

材质

Silicon

工作温度

150℃ (TJ)

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2SK2221-E 符合标准

2SK2221-E 数据手册

Renesas Electronics（瑞萨电子）

8 页 / 0.08 MByte

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