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2SK2463T100 数据手册 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

制造商:

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-89-3

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2SK2463T100 数据手册 (4 页)

封装尺寸在1 页

2SK2463T100 数据手册 (4 页)

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2SK2463T100 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SOT-89-3

极性

N-CH

功耗

500 mW

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

25 ns

输入电容值(Ciss)

200pF @10V(Vds)

下降时间

50 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500mW (Ta)

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2SK2463T100 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

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包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

150℃ (TJ)

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2SK2463T100 符合标准

2SK2463T100 概述

2SK2463T100 数据手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

4 页 / 0.13 MByte

2SK2463T100 其他数据使用手册

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

20 页 / 0.13 MByte

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2SK2463 N沟道MOSFET 60V 2A SOT-89 marking/标记 KC 低导通电阻/高速开关/宽SOA/低电压驱动

2SK2463T100 数据手册

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