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Datasheet 搜索 > MOS管 > Micro Commercial Components(美微科) > 2SK3018-TP Datasheet 文档
2SK3018-TP
0.096

2SK3018-TP 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-323
极性
N-CH
功耗
200mW (Ta)
漏源极电压(Vds)
30 V
连续漏极电流(Ids)
0.1A
上升时间
35 ns
输入电容值(Ciss)
13pF @5V(Vds)
下降时间
90 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
200mW (Ta)

2SK3018-TP 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-55℃ ~ 150℃

2SK3018-TP 数据手册

Micro Commercial Components(美微科)
4 页 / 0.68 MByte
Micro Commercial Components(美微科)
4 页 / 0.68 MByte

2SK3018 数据手册

CJ(长电科技)
N沟道,30V,0.1A,8Ω@4V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2SK3018 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 KN 低导通电阻/高速度开关/低电压驱动
SLKOR(韩国萨科微)
N沟道 30V 100mA
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
ROHM  2SK3018T106  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 mA, 30 V, 8 ohm, 4 V, 1.5 V
Micro Commercial Components(美微科)
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
MOS场效应管 2SK3018 T106 SC-70(SOT-323) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
CJ(长电科技)
MOS场效应管 2SK3018 KN SC-70(SOT-323) N沟道,30V,100mA,8Ω@4V
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
2.5V驱动N沟道MOS FET 2.5V Drive Nch MOS FET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
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