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2STC4467 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

双极性晶体管

封装:

TO-3-3

描述:

高功率NPN外延平面型双极晶体管 High power NPN epitaxial planar bipolar transistor

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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2STC4467 数据手册 (8 页)

封装尺寸在5 页 6 页

2STC4467 数据手册 (8 页)

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2STC4467 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

频率

20 MHz

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

极性

NPN

功耗

80000 mW

增益频宽积

20 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

120 V

集电极最大允许电流

最小电流放大倍数

70 @3A, 4V

最大电流放大倍数

额定功率(Max)

80 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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2STC4467 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tube

长度

15.8 mm

宽度

5 mm

高度

15.1 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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2STC4467 符合标准

2STC4467 海关信息

2STC4467 概述

2STC4467 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

8 页 / 0.14 MByte

2STC4467 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

3 页 / 0.06 MByte

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