30C01M 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 40V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 30V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 400mA/0.4A 截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 380MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 300~800 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV/0.2V 耗散功率PcPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor Low-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Applications • Low-frequency Amplifier, muting circuit. Features • Large current capacitance. • Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance). RCE(sat) typ=0.70Ω [IC=0.4A, IB=20mA]. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products. • Small ON-resistance (Ron). 描述与应用| NPN平面外延硅晶体管 低频 通用放大器应用 应用 •低频放大器，静音电路。 特点 •大电流容量。 •低集电极 - 发射极饱和电压（电阻）。 RCE（sat）（典型值）=0.70Ω[IC=0.4A，IB为20mA。 •超小封装，有利于在终端产品的小型化。 •小导通电阻（RON）