3LN03M 数据手册 - Sanyo Semiconductor（三洋）

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 10V 最大漏极电流Id Drain Current| 350mA/0.35A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.7Ω/Ohm @180mA,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.4-1.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features Silicon N-Channel MOS FET Low ON resistance Ultrahigh-speed switching 2.5V drive 描述与应用| 三洋半导体 N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 超高速开关 2.5V驱动