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器件3D模型
¥ 1.879
6EDL04I06PTXUMA1 数据手册 - Infineon(英飞凌)
制造商:
Infineon(英飞凌)
分类:
FET驱动器
封装:
PG-DSO-28
描述:
Infineon 6EDL04I06PTXUMA1 6路 全桥 MOSFET 功率驱动器, 420mA, 13 → 17.5 V电源, 28引脚 DSO封装
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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6EDL04I06PTXUMA1 数据手册 (25 页)
引脚图
在
11 页
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封装尺寸
在
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原理图
在
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6EDL04I06PTXUMA1 数据手册
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6EDL04I06PTXUMA1 数据手册 (25 页)
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6EDL04I06PTXUMA1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
28 Pin
封装
PG-DSO-28
上升/下降时间
60ns, 26ns
输出接口数
6 Output
针脚数
28 Position
功耗
1300 mW
上升时间
100 ns
输入偏置电流
120 µA
下降时间
45 ns
下降时间(Max)
45 ns
上升时间(Max)
100 ns
工作温度(Max)
95 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1300 mW
电源电压
13V ~ 17.5V
电源电压(Max)
17.5 V
电源电压(Min)
13 V
查看数据手册 >
6EDL04I06PTXUMA1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
18.1 mm
宽度
7.6 mm
高度
2.35 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃ (TJ)
查看数据手册 >
6EDL04I06PTXUMA1 符合标准
6EDL04I06PTXUMA1 海关信息
6EDL04I06PTXUMA1 概述
●
EiceDRIVER 3 相栅极驱动器 IC,Infineon
●
Infineon 3 相 600V MOSFET 和 IGBT 栅极驱动 IC 基于经验证的现有 SOI 技术。 这些坚固的设备中无寄生闸流晶体管结构,可在所有正常工作条件下防闩锁。 驱动器包括欠电压、过电流检测且可由 CMOS 或低至 3.3V 的 LSTTL 兼容信号控制。
●
最大阻隔电压 600V
●
六个独立驱动器
●
通过 3.3V 逻辑控制
●
欠电压检测,带滞后
●
过电流检测
查看数据手册 >
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6EDL04I06PTXUMA1
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248 页 / 6.42 MByte
6EDL04I06 数据手册
6EDL04I06
PT
数据手册
Infineon(英飞凌)
EiceDRIVER™ 3 相栅极驱动 IC,InfineonInfineon 3 相 600V MOSFET 和 IGBT 栅极驱动 IC 基于经验证的现有 SOI 技术。 这些坚固的设备中无寄生闸流晶体管结构,可在所有正常工作条件下防闩锁。 驱动器包括欠电压、过电流检测且可由 CMOS 或低至 3.3V 的 LSTTL 兼容信号控制。最大阻隔电压 600V 六个独立驱动器 通过 3.3V 逻辑控制 欠电压检测,带滞后 过电流检测 ### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)
6EDL04I06
PTXUMA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
Infineon 6EDL04I06PTXUMA1 6路 全桥 MOSFET 功率驱动器, 420mA, 13 → 17.5 V电源, 28引脚 DSO封装
6EDL04I06
NTXUMA1
数据手册
Infineon(英飞凌)
IGBT驱动器, 全桥, 420mA, 13V至17.5V电源, 530ns/490ns延迟, SOIC-28
6EDL04I06
NT
数据手册
Infineon(英飞凌)
6EDL04I06
NCX1SA1
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Infineon(英飞凌)
6EDL04I06
NC
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6EDL04I06
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