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70T659S12BFI
142.329
70T659S12BFI 数据手册 (28 页)
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70T659S12BFI 技术参数、封装参数

类型
描述
引脚数
208 Pin
封装
CABGA-208
存取时间
12 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
2.4V ~ 2.6V

70T659S12BFI 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube, Rail
长度
15 mm
宽度
15 mm
高度
1.4 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
厚度
1.40 mm

70T659S12BFI 数据手册

Integrated Device Technology(艾迪悌)
28 页 / 0.72 MByte
Integrated Device Technology(艾迪悌)
27 页 / 0.22 MByte

70T659S12 数据手册

Integrated Device Technology(艾迪悌)
静态随机存取存储器 128K X36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
Integrated Device Technology(艾迪悌)
Integrated Device Technology(艾迪悌)
静态随机存取存储器 128K X36 STD-PWR 2.5V DUAL PORT RAM
Integrated Device Technology(艾迪悌)
Integrated Device Technology(艾迪悌)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
Renesas Electronics(瑞萨电子)
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