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A2T21H141W24SR3 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

封装:

NI-780S-4

描述:

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

A2T21H141W24SR3 数据手册 (2 页)

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A2T21H141W24SR3 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

7 Pin

封装

NI-780S-4

输出功率

36 W

增益

17.2 dB

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

A2T21H141W24SR3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Obsolete

包装方式

Tape & Reel (TR)

A2T21H141W24SR3 符合标准

A2T21H141W24SR3 数据手册

A2T21H141W24SR3 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

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A2T21H141W24 数据手册

A2T21H141W24SR3 数据手册

NXP（恩智浦）

射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 2110-2200 MHz, 36 W Avg., 28 V

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