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Datasheet 搜索 > 多工器 > ADI(亚德诺) > ADG636YRU-REEL7 Datasheet 文档
ADG636YRU-REEL7
器件3D模型
1
ADG636YRU-REEL7 数据手册 (7 页)
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ADG636YRU-REEL7 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
14 Pin
封装
TSSOP
触点类型
SPDT
位数
2 Bit

ADG636YRU-REEL7 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Tape, Tape & Reel (TR)

ADG636YRU-REEL7 数据手册

ADI(亚德诺)
7 页 / 0.22 MByte
ADI(亚德诺)
20 页 / 0.43 MByte

ADG636 数据手册

ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
ANALOG DEVICES  ADG636YRUZ  模拟开关, 双通道, SPDT, 2 放大器, 115 ohm, ± 2.7V 至 ± 5.5V, TSSOP, 14 引脚
ADI(亚德诺)
2-电路-IC-开关-2:1-115-欧姆-14-TSSOP
ADI(亚德诺)
模拟开关 IC 2:1 400MHz 2.2 Ohm CMOS Dual SPDT
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏CMOS 5V / + 5V / + 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage CMOS 5 V/+5 V/+3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏, CMOS , ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch
ADI(亚德诺)
ADI(亚德诺)
1 pC的电荷注入, 100 pA的泄漏, CMOS , ±5 V / 5 V / 3 V双通道单刀双掷开关 1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, CMOS, ±5 V/5 V/3 V Dual SPDT Switch
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