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器件3D模型
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AFT09MS031GN 数据手册 - NXP(恩智浦)
制造商:
NXP(恩智浦)
封装:
FM-2
Pictures:
3D模型
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AFT09MS031GN 技术参数、封装参数
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描述
封装
FM-2
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产品生命周期
Active
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AFT09MS031GN 数据手册
AFT09MS031GN
数据手册
NXP(恩智浦)
7 页 / 0.16 MByte
AFT09MS031GN
产品设计参考手册
NXP(恩智浦)
21 页 / 0.86 MByte
AFT09MS031GN
其他数据使用手册
NXP(恩智浦)
8 页 / 0.83 MByte
AFT09MS031GN
开发手册
NXP(恩智浦)
21 页 / 1.03 MByte
AFT09MS031GN
产品封装文件
NXP(恩智浦)
6 页 / 0.86 MByte
AFT09MS031 数据手册
AFT09MS031
NR1
数据手册
NXP(恩智浦)
射频FET晶体管, 40 VDC, 31 W, 136 MHz, 520 MHz, TO-270
AFT09MS031
GNR1
数据手册
NXP(恩智浦)
晶体管, 射频FET, 40 V, 317 W, 764 MHz, 941 MHz, TO-270
AFT09MS031
GNR1
数据手册
Freescale(飞思卡尔)
AFT09MS031
NR1
数据手册
Freescale(飞思卡尔)
AFT09MS031
N
数据手册
NXP(恩智浦)
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast Wideband RF Power LDMOS Transistor, 764-941 MHz, 31 W, 13.6 V
AFT09MS031
GN
数据手册
NXP(恩智浦)
AFT09MS031
NR1
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AFT09MS031
GNR1
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