￥ 10.08

AFT27S010NT1 数据手册 - NXP（恩智浦）

制造商:

NXP（恩智浦）

分类:

MOS管

封装:

PLD-1

描述:

晶体管, 射频FET, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

AFT27S010NT1 数据手册 (48 页)

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AFT27S010NT1 技术参数、封装参数

类型

描述

频率

2.17 GHz

引脚数

3 Pin

额定电流

10 µA

封装

PLD-1

针脚数

2 Position

漏源极电压(Vds)

65 V

输出功率

1.26 W

增益

21.7 dB

测试电流

90 mA

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

额定电压

65 V

电源电压

28 V

AFT27S010NT1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-40℃ ~ 225℃

AFT27S010NT1 符合标准

AFT27S010NT1 海关信息

AFT27S010NT1 数据手册

AFT27S010NT1 产品设计参考手册

NXP（恩智浦）

48 页 / 2.85 MByte

AFT27S010NT1 其他数据使用手册

NXP（恩智浦）

30 页 / 0.29 MByte

AFT27S010NT1 开发手册

NXP（恩智浦）

29 页 / 0.99 MByte

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晶体管, 射频FET, 65 V, 728 MHz, 3600 MHz, PLD-1.5W

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