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器件3D模型
¥ 2.835
ALD1116PAL 数据手册 - Advanced Linear Devices(先进线性电子)
制造商:
Advanced Linear Devices(先进线性电子)
分类:
晶体管
封装:
PDIP-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
ALD1116PAL 数据手册 (11 页)
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在
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ALD1116PAL 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
封装
PDIP-8
漏源极电阻
500 Ω
极性
N-Channel
功耗
500 mW
漏源极电压(Vds)
10.6 V
漏源击穿电压
12.0 V
栅源击穿电压
13.2 V
连续漏极电流(Ids)
4.80 mA
输入电容值(Ciss)
3pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
查看数据手册 >
ALD1116PAL 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
0℃ ~ 70℃ (TJ)
查看数据手册 >
ALD1116PAL 符合标准
ALD1116PAL 概述
●
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)配对 10.6V - 500mW 通孔 8-PDIP
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