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器件3D模型
¥ 2.115
ALD1116SAL 数据手册 - Advanced Linear Devices(先进线性电子)
制造商:
Advanced Linear Devices(先进线性电子)
分类:
MOS管
封装:
SOIC-8
描述:
双N沟道(配对) 10.6V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
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ALD1116SAL 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOIC-8
通道数
2 Channel
漏源极电阻
500 Ω
极性
N-Channel
功耗
500 mW
阈值电压
400 mV, 400 mV
漏源极电压(Vds)
10.6 V
漏源击穿电压
±12 V
栅源击穿电压
13.2 V
连续漏极电流(Ids)
4.80 mA
输入电容值(Ciss)
3pF @5V(Vds)
额定功率(Max)
500 mW
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
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ALD1116SAL 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
工作温度
0℃ ~ 70℃ (TJ)
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ALD1116SAL 符合标准
ALD1116SAL 概述
●
MOSFET - 阵列 2 N 沟道(双)配对 10.6V - 500mW 表面贴装型 8-SOIC
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