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AP18T10AGH-HF-3TR 数据手册 - Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）

制造商:

Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）

分类:

MOS管

封装:

TO-252

描述:

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP18T10AGH-HF-3TR 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V, 1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

AP18T10AGH-HF-3TR 数据手册 (4 页)

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AP18T10AGH-HF-3TR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252

漏源极电阻

0.16 Ω

极性

N-Channel

功耗

28 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

AP18T10AGH-HF-3TR 符合标准

AP18T10AGH-HF-3TR 数据手册

AP18T10AGH-HF-3TR 其他数据使用手册

Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）

4 页 / 0.53 MByte

AP18T10AGH-HF-3TR 产品封装文件

Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）

5 页 / 0.09 MByte

AP18T10AGHHF3 数据手册

AP18T10AGH-HF-3TR 数据手册

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ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP AP18T10AGH-HF-3TR 晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V, 1 V

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