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APT10026JFLL
78.19
APT10026JFLL 数据手册 (5 页)
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APT10026JFLL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
1.00 kV
额定电流
30.0 A
封装
SOT-227
极性
N-CH
功耗
595 W
输入电容
7.11 nF
栅电荷
267 nC
漏源极电压(Vds)
1.00 kV
连续漏极电流(Ids)
30.0 A
上升时间
8 ns
输入电容值(Ciss)
7114pF @25V(Vds)
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
595000 mW

APT10026JFLL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube

APT10026JFLL 数据手册

Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.11 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.23 MByte

APT10026 数据手册

Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
N沟道 1kV 38A
Microchip(微芯)
N沟道 1kV 30A
Microsemi(美高森美)
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
Microchip(微芯)
分立半导体模块 FG, MOSFET, 1000V, 0.26_OHM, SOT-227
Microchip(微芯)
N沟道 1kV 38A
Advanced Power Technology
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