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APT10035JLL
32.37
APT10035JLL 数据手册 (1 页)
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APT10035JLL 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
4 Pin
额定电压(DC)
1.00 kV
额定电流
28.0 A
封装
SOT-227-4
通道数
1 Channel
漏源极电阻
350 mΩ
功耗
520 W
阈值电压
3 V
输入电容
5.18 nF
栅电荷
186 nC
漏源极电压(Vds)
1000 V
漏源击穿电压
1000 V
连续漏极电流(Ids)
25.0 A
上升时间
10 ns
输入电容值(Ciss)
5185pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
520 W
下降时间
9 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
520W (Tc)

APT10035JLL 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
38 mm
宽度
25.2 mm
高度
8.9 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

APT10035JLL 数据手册

Microsemi(美高森美)
1 页 / 0.01 MByte
Microsemi(美高森美)
5 页 / 0.09 MByte
Microsemi(美高森美)
40 页 / 4.07 MByte

APT10035 数据手册

Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
Microchip(微芯)
N沟道 1kV 28A
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel
Microchip(微芯)
N沟道 1kV 25A
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