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APT20M11JVR
24.762

APT20M11JVR 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
SOT-227-4
功耗
700 W
上升时间
40 ns
下降时间
10 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

APT20M11JVR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
长度
38.2 mm
宽度
25.4 mm
高度
9.6 mm

APT20M11JVR 数据手册

Microchip(微芯)
4 页 / 0.07 MByte

APT20M11 数据手册

Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
分立半导体模块 FG, MOSFET, 200V, 0.011_OHM, SOT-227
Microsemi(美高森美)
Microchip(微芯)
Advanced Power Technology
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