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APT20M20B2LLG 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

T-MAX

描述:

功率MOS 7是新一代低损耗，高电压， N沟道的 Power MOS 7 is a new generation of low loss, high voltage, N-Channel

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APT20M20B2LLG 数据手册 (6 页)

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APT20M20B2LLG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

100 A

封装

T-MAX

输入电容

6.85 nF

栅电荷

110 nC

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

100 A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

6850pF @25V(Vds)

下降时间

2 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

568000 mW

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APT20M20B2LLG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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APT20M20B2LLG 符合标准

APT20M20B2LLG 数据手册

Microsemi（美高森美）

6 页 / 0.21 MByte

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