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APT20M38BVRG 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

APT20M38 系列 200 V 0.038 Ohm 67 A N沟道增强型功率 MOSFETs-TO-247

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APT20M38BVRG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

200 V

额定电流

67.0 A

封装

TO-247-3

功耗

370 W

输入电容

6.12 nF

栅电荷

225 nC

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

67.0 A

上升时间

21 ns

输入电容值(Ciss)

6120pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

370 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

370W (Tc)

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APT20M38BVRG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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APT20M38BVRG 符合标准

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Microsemi（美高森美）

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APT20M38BVRG 产品手册

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APT20M38 数据手册

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