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APT29F100B2
17.472
APT29F100B2 数据手册 (4 页)
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APT29F100B2 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
T-MAX-3
功耗
1.04 kW
上升时间
35 ns
下降时间
33 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃

APT29F100B2 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active

APT29F100B2 数据手册

Microchip(微芯)
4 页 / 0.2 MByte

APT29F100 数据手册

Microsemi(美高森美)
1000V , 29A , 0.46ヘ最大, TRR ÷ 270ns N沟道FREDFET 1000V, 29A, 0.46ヘ Max, trr ÷270ns N-Channel FREDFET
Microsemi(美高森美)
1000V , 29A , 0.46ヘ最大, TRR ÷ 270ns N沟道FREDFET 1000V, 29A, 0.46ヘ Max, trr ÷270ns N-Channel FREDFET
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
Microsemi(美高森美)
N沟道FREDFET N-Channel FREDFET
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