APT4M120K

￥ 2.472

APT4M120K 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

N沟道MOSFET N-Channel MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APT4M120K 数据手册 (5 页)

APT4M120K 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

1.20 kV

额定电流

4.00 A

封装

TO-220-3

极性

N-CH

功耗

225 W

漏源极电压(Vds)

1200 V

连续漏极电流(Ids)

4.00 A

输入电容值(Ciss)

1385pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

225 W

耗散功率(Max)

225W (Tc)

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APT4M120K 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Rail, Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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APT4M120K 符合标准

APT4M120K 数据手册

APT4M120K 数据手册

Microsemi（美高森美）

5 页 / 0.48 MByte

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