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器件3D模型
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APT5012JN 数据手册 - Microsemi（美高森美）
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Microsemi（美高森美）
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APT5012JN 技术参数、封装参数
类型
描述
极性
N-CH
漏源极电压(Vds)
500 V
连续漏极电流(Ids)
43A
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APT5012JN 符合标准
APT5012JN 概述
●
底座安装 N 通道 500 V 43A（Tc） 520W（Tc） ISOTOP®
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