￥ 39.71

APT50M85JVFR 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

SOT-227

描述:

功率MOS V是新一代高压N沟道增强型功率MOSFET 。 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APT50M85JVFR 数据手册 (4 页)

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APT50M85JVFR 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

50.0 A

封装

SOT-227

输入电容

10.8 nF

栅电荷

535 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

50.0 A

上升时间

17 ns

输入电容值(Ciss)

9000pF @25V(Vds)

下降时间

7 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500000 mW

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APT50M85JVFR 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

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APT50M85JVFR 符合标准

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Microsemi（美高森美）

4 页 / 0.07 MByte

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