APT60GA60JD60

￥ 24.465

APT60GA60JD60 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APT60GA60JD60 数据手册 (1 页)

APT60GA60JD60 数据手册 (1 页)

或点击图片查看大图

APT60GA60JD60 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

功耗

356 W

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

8.01nF @25V

额定功率(Max)

356 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

356000 mW

查看数据手册 >

APT60GA60JD60 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

APT60GA60JD60 符合标准

APT60GA60JD60 海关信息

APT60GA60JD60 数据手册

APT60GA60JD60 数据手册

Microsemi（美高森美）

1 页 / 0.01 MByte

APT60GA60JD60 产品设计参考手册

Microsemi（美高森美）

12 页 / 1.03 MByte

APT60GA60JD60 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

9 页 / 0.24 MByte

APT60GA60 数据手册

APT60GA60JD60 数据手册

Microsemi（美高森美）

高速PT IGBT High Speed PT IGBT

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号

最新型号

GD32F103CBT6 L5972D ST485EBDR ADUM1401ARWZ NTCLE100E3103JB0 LIS302DL AD823AARMZ GP2Y0A710K0F TAJD106M035RNJ C1608X5R1A226M080AC

更多热门型号文档

BOM选型工具

智能匹配型号

推荐替代方案

预警生产风险

计算采购成本

上传BOM文件

文件格式：*.xlsx，*.xls，*csv

Gerber文件查看器

15秒快速建模

预览PCB成品

支持40种板层

预检生产问题

上传Gerber文件

支持标准RS-274X文件，接受zip、rar、7z