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APT75GP120B2G 数据手册 - Microchip（微芯）

制造商:

Microchip（微芯）

封装:

T-MAX-3

描述:

IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

APT75GP120B2G 数据手册 (6 页)

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APT75GP120B2G 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

T-MAX-3

功耗

1.042 kW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

APT75GP120B2G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

长度

21.46 mm

宽度

16.26 mm

高度

5.31 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

APT75GP120B2G 符合标准

APT75GP120B2G 数据手册

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6 页 / 0.09 MByte

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