￥ 34.218

APT75GP120JDQ3 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SOT-227-4

描述:

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APT75GP120JDQ3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在9 页

APT75GP120JDQ3 数据手册 (9 页)

查看文档

或点击图片查看大图

APT75GP120JDQ3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

功耗

543 W

击穿电压(集电极-发射极)

1200 V

输入电容值(Cies)

7.04nF @25V

额定功率(Max)

543 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

543000 mW

查看数据手册 >

APT75GP120JDQ3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

38.2 mm

宽度

25.4 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

查看数据手册 >

APT75GP120JDQ3 符合标准

APT75GP120JDQ3 海关信息

APT75GP120JDQ3 数据手册

Microsemi（美高森美）

9 页 / 0.46 MByte

APT75GP120JDQ3 产品设计参考手册

Microsemi（美高森美）

12 页 / 1.03 MByte

APT75GP120JDQ3 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

10 页 / 0.17 MByte

APT75GP120JDQ3 产品手册

Microsemi（美高森美）

40 页 / 4.07 MByte

APT75GP120JDQ3 其他参考文件

Microsemi（美高森美）

1 页 / 0.13 MByte

APT75GP120 数据手册

APT75GP120JDQ3 数据手册

Microsemi（美高森美）

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

APT75GP120B2G 数据手册

Microsemi（美高森美）

APT75GP120B2G 单 1200 V 100 A 1042 W 320 nC POWER MOS 7® IGBT - TO-247-3

APT75GP120J 数据手册

Microsemi（美高森美）

功率半导体功率模块 Power Semiconductors Power Modules

APT75GP120B2G 数据手册

Microchip（微芯）

IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Single

APT75GP120JDQ3 数据手册

Microchip（微芯）

APT75GP120J 数据手册

Microchip（微芯）

APT75GP120B2 数据手册

Advanced Power Technology

APT75GP120JDF3 数据手册

Microsemi（美高森美）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号