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APTCV50H60T3G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

IGBT晶体管

封装:

SP-3

描述:

全 - 桥NPT和沟道+场终止？ IGBT功率模块 Full - Bridge NPT & Trench + Field Stop® IGBT Power module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APTCV50H60T3G 数据手册 (6 页)

原理图在4 页

APTCV50H60T3G 数据手册 (6 页)

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APTCV50H60T3G 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

引脚数

32 Pin

封装

SP-3

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

3.15nF @25V

额定功率(Max)

176 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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APTCV50H60T3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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APTCV50H60T3G 符合标准

APTCV50H60T3G 数据手册

Microsemi（美高森美）

6 页 / 0.51 MByte

APTCV50H60T3G 产品设计参考手册

Microsemi（美高森美）

12 页 / 1.03 MByte

APTCV50H60T3G 其他数据使用手册

Microsemi（美高森美）

11 页 / 0.37 MByte

APTCV50H60T3G 开发手册

Microsemi（美高森美）

11 页 / 0.42 MByte

APTCV50H60T3G 产品手册

Microsemi（美高森美）

40 页 / 4.07 MByte

APTCV50H60T3 数据手册

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