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APTCV60TLM70T3G 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

封装:

SP-3

描述:

三电平逆变器的CoolMOS和沟道+场截止IGBT功率模块 Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APTCV60TLM70T3G 数据手册 (1 页)

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APTCV60TLM70T3G 技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

24 Pin

封装

SP-3

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容值(Cies)

3.15nF @25V

额定功率(Max)

176 W

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APTCV60TLM70T3G 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 175℃ (TJ)

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APTCV60TLM70T3G 符合标准

APTCV60TLM70T3G 数据手册

Microsemi（美高森美）

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APTCV60TLM70T3 数据手册

APTCV60TLM70T3G 数据手册

Microsemi（美高森美）

三电平逆变器的CoolMOS和沟道+场截止IGBT功率模块 Three level inverter CoolMOS & Trench + Field Stop IGBT Power Module

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