APTGTQ150TA65TPG

￥ 128.849

APTGTQ150TA65TPG 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

封装:

SP6-P

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APTGTQ150TA65TPG 数据手册 (6 页)

APTGTQ150TA65TPG 技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SP6-P

击穿电压(集电极-发射极)

650 V

输入电容值(Cies)

9nF @25V

额定功率(Max)

365 W

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APTGTQ150TA65TPG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-40℃ ~ 175℃ (TJ)

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APTGTQ150TA65TPG 符合标准

APTGTQ150TA65TPG 数据手册

APTGTQ150TA65TPG 数据手册

Microsemi（美高森美）

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APTGTQ150TA65 数据手册

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