￥ 193.839

APTM100A13SG 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

SP-6

描述:

相脚系列和并联二极管的MOSFET功率模块 Phase leg Series & parallel diodes MOSFET Power Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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APTM100A13SG 数据手册 (1 页)

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APTM100A13SG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Chassis

封装

SP-6

极性

N-CH

功耗

1.25 kW

漏源极电压(Vds)

1000 V

连续漏极电流(Ids)

65A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

15200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

1250 W

下降时间

24 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

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APTM100A13SG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

长度

108 mm

宽度

62 mm

高度

21.9 mm

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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APTM100A13SG 符合标准

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