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Datasheet 搜索 > MOS管 > Microsemi(美高森美) > APTM100UM65DAG Datasheet 文档
APTM100UM65DAG
219.93

APTM100UM65DAG 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Screw
引脚数
4 Pin
封装
SP-6
极性
N-CH
功耗
3250W (Tc)
漏源极电压(Vds)
1000 V
连续漏极电流(Ids)
145A
上升时间
14 ns
输入电容值(Ciss)
28500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
3250 W
下降时间
55 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
3250W (Tc)

APTM100UM65DAG 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Bulk
工作温度
-40℃ ~ 150℃ (TJ)

APTM100UM65DAG 数据手册

Microsemi(美高森美)
6 页 / 0.24 MByte
Microsemi(美高森美)
7 页 / 0.53 MByte
Microsemi(美高森美)
40 页 / 4.07 MByte

APTM100UM65 数据手册

Microsemi(美高森美)
单开关系列和并联二极管的MOSFET功率模块 Single switch Series & parallel diodes MOSFET Power Module
Microsemi(美高森美)
单开关系列二极管的MOSFET功率模块 Single switch with Series diode MOSFET Power Module
Microsemi(美高森美)
单开关系列和碳化硅二极管并联MOSFET功率模块 Single switch Series & SiC parallel diodes MOSFET Power Module
Microchip(微芯)
Microchip(微芯)
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