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APTM50HM75STG 数据手册 - Microsemi（美高森美）

制造商:

Microsemi（美高森美）

分类:

MOS管

封装:

SP-4

描述:

全桥系列和并联二极管的MOSFET功率模块 Full bridge Series & parallel diodes MOSFET Power Module

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

APTM50HM75STG 数据手册 (7 页)

APTM50HM75STG 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Screw

引脚数

20 Pin

封装

SP-4

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

46A

上升时间

35 ns

输入电容值(Ciss)

5600pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

357 W

下降时间

77 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-40 ℃

耗散功率(Max)

357000 mW

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APTM50HM75STG 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

工作温度

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

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APTM50HM75STG 符合标准

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